Травление технологического слоя

Операция фотолитографии " Травление технологического слоя " - это удаление участков технологического слоя, не защищенных маской фоторезиста (см. рисунки в первой теме "Фотолитография. Назначение основных операций").

Травление является ответственной операцией, так как брак после травления неисправим.

Требования, предъявляемые к травителю:

1. Травитель должен быть избирательным (селективным), т.е. должен травить только нужный технологический слой, не взаимодействуя с подложкой и фоторезистом.

2. Травитель не должен образовывать продуктов реакции, способствующих
отслаиванию фоторезиста и подтравливанию.

3. Травитель должен обеспечивать оптимальную скорость травления (чтобы, с одной стороны, было минимальное количество дефектов, а с другой стороны, чтобы можно было точно контролировать время травления).

Травление бывает жидкостным и сухим.

В состав жидкостного травителя входят:

1. Окислитель - для образования окисла на поверхности технологического слоя;

2. Растворитель - для растворения и удаления образовавшегося окисла,

3. Замедлитель (или ускоритель) реакции.

Процесс жидкостного травления изотропен, т.е. имеет одинаковую скорость травления во всех направлениях, поэтому возникает боковое подтравливание технологического слоя под маской фоторезиста (образуется клин травления), что приводит к изменениям размеров элементов рисунка:

. Основными параметрами жидкостного травления являются время травления, температура и концентрация травителя.

Для травления пленок SiO₂ применяют плавиковую кислоту HF и травители на ее основе (например, буферный травитель HF: NH₄F: Н₂О =1: 3: 7)

Для травления пленок Si₃N₄ используют травители на основе ортофосфорной кислоты Н₃РO₄.

Для травления пленок алюминия применяют как кислотные, так и щелочные травители.

Примечание: сухое травление смотри в теме "ПХТ".